IDT71V547, 128K x 36, 3.3V Synchronous SRAM with
ZBT ? Feature, Burst Counter and Flow-Through Outputs
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Pin Configuration
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81
I/O P3
I/O 16
I/O 17
V DD
V SS
I/O 18
I/O 19
I/O 20
I/O 21
V SS
V DD
I/O 22
I/O 23
V SS (1)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
I/O P2
I/O 15
I/O 14
V DD
V SS
I/O 13
I/O 12
I/O 11
I/O 10
V SS
V DD
I/O 9
I/O 8
V SS
V DD
V DD
V SS
I/O 24
I/O 25
V DD
V SS
I/O 26
I/O 27
I/O 28
I/O 29
V SS
V DD
I/O 30
I/O 31
I/O P4
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
PK100-1
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
V SS
V DD
V SS
I/O 7
I/O 6
V DD
V SS
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
V SS
V DD
I/O 1
I/O 0
I/O P1
31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
Top View
TQFP
3822 drw 02
NOTES:
1. Pin 14 does not have to be connected directly to V SS as long as the input voltage is < V IL .
2. Pins 83 and 84 are reserved for future A 17 (8M) and A 18 (16M) respectively.
Absolute Maximum Ratings (1)
Symbol Rating Value
Unit
Capacitance
(T A = +25°C, f = 1.0MHz, TQFP package)
V TERM
V TERM (2)
V TERM (3)
(4)
Supply Voltage on VDD with
Respect to GND
DC Input Voltage (5)
DC Voltage Applied to Outputs in
High-Z State (5)
–0.5 to +3.6
–0.5 to V DDQ +0.5
–0.5 to V DDQ +0.5
V
V
V
Symbol
C IN
C I/O
Parameter (1)
Input Capacitance
I/O Capacitance
Conditions
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
Max.
5
7
Unit
pF
pF
T A
Operating Temperature
0°C to 70°C
°C
NOTE:
3822 tbl 06
T BIAS
Ambient Temperature with Power
–55 to +125
°C
1. This parameter is guaranteed by device characterization, but not production tested.
Applied (Temperature Under
Bias)
T STG
I OUT
V ESD
Storage Temperature
Current into Outputs (Low)
Static Discharge Voltage
–65 to +150
20
>2001
°C
mA
V
(per MIL-STD-883, Method 3015)
I LU
NOTES:
Latch-Up Current
>200
mA
5284 tbl 05
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and
functional operation of the device at these or any other conditions above those
indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure
to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect
reliability.
2. V DD and Input terminals only.
3. I/O terminals.
4
相关PDF资料
IDT71V632S7PFGI IC SRAM 2MBIT 7NS 100TQFP
IDT71V65703S85BGGI IC SRAM 9MBIT 85NS 119BGA
IDT71V65803S150BGI IC SRAM 9MBIT 150MHZ 119BGA
IDT71V67602S166BGG IC SRAM 9MBIT 166MHZ 119BGA
IDT71V67603S166PFGI IC SRAM 9MBIT 166MHZ 100TQFP
IDT71V67703S85BGGI IC SRAM 9MBIT 85NS 119BGA
IFMD18105 CABINET STEEL 19.6X39.4X77.3 BEI
IFMD18106 CABINET STEEL 23.6X39.4X77.3 BEI
相关代理商/技术参数
IDT71V547S80PFGI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 80NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x20) 包装:托盘
IDT71V547S90PF 功能描述:IC SRAM 4MBIT 90NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V547S90PF8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 90NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V547S90PFG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 90NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V547S90PFG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 90NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V547S90PFI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 90NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V547S90PFI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 90NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V547XS100PF 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040